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PD 9.1608C
IRL3103D1
FETKY TM MOSFET & SCHOTTKY RECTIFIER
l
l
Copackaged HEXFET ? Power MOSFET
and Schottky Diode
Generation 5 Technology
D
V DSS = 30V
l
l
Logic Level Gate Drive
Minimize Circuit Inductance
R DS(on) = 0.014 ?
l
Ideal For Synchronous Regulator Application
G
I D = 64A
S
Description
The FETKY family of copackaged HEXFET power
MOSFETs and Schottky Diodes offer the designer an
innovative board space saving solution for switching
regulator applications. A low on resistance Gen 5
MOSFET with a low forward voltage drop Schottky
diode and minimized component interconnect
inductance and resistance result in maximized
converter efficiencies.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220
contribute to its wide acceptance throughout the
industry.
Absolute Maximum Ratings
TO-220AB
Parameter
Max.
Units
I D @ T C = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V ?
64
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T C = 25°C
V GS
T J
T STG
Continuous Drain Current, V GS @ 10V ?
Pulsed Drain Current ??
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
45
220
2.0
89
0.56
± 16
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
10 lbf?in (1.1N?m)
A
W
W
W/°C
V
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
1.4
R θ JA
Junction-to-Ambient
–––
62
°C/W
12/16/97
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